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GaN基Micro LED由于具有高亮度、高穩(wěn)定性、長(zhǎng)壽命和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是繼LCD和OLED之后，最具潛力的下一代顯示技術(shù)。在顯示應(yīng)用中，通常需要驅(qū)動(dòng)電路與Micro LED通過(guò)異質(zhì)集成以達(dá)到對(duì)單個(gè)像素控制的目的，研究更高效可靠的Micro LED與驅(qū)動(dòng)電路的集成方式對(duì)顯示應(yīng)用有著重要的意義。

近日，南京大學(xué)莊喆、劉斌團(tuán)隊(duì)提出了一種GaN基Micro LED用準(zhǔn)垂直MOSFET驅(qū)動(dòng)的全氮化物單片集成方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)不同尺寸Micro LED芯片的電流驅(qū)動(dòng)。相關(guān)研究工作近期以“Monolithic integration of GaN-based green Micro LED and quasi-vertical MOSFET utilizing a hybrid tunnel junction”為題發(fā)表在《IEEE Electron Device Letters》上。

Micro LED無(wú)塵烘箱

工作室尺寸：450*450*450mm，W500*H700*D600mm， 

        W500*H550*D500mm多尺寸定制

工作室：1個(gè)或多個(gè)定制

溫度范圍 ：室溫--300℃     
溫度波動(dòng)度 ：±1℃
溫度均勻度 : ±1.5%℃  
升溫速率 : 8℃/min         
循環(huán)風(fēng)方式 ：內(nèi)部循環(huán)     
電源： 三相五線制，380V，50HZ     
總功率： 8KW 

外箱材料：優(yōu)質(zhì)冷軋板鋼板噴塑  

內(nèi)膽材料：SUS 304 不銹鋼制作    

Micro LED無(wú)塵烘箱適用于IC可靠性試驗(yàn)，IC封裝，光刻膠固化，電子液晶顯示、LCD、CMOS、IS、醫(yī)藥、實(shí)驗(yàn)室等生產(chǎn)及科研部門；也可用于非揮發(fā)性及非易燃易爆物品的干燥、熱處理、老化等其他高溫試驗(yàn)。