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集成電路的制造包括近800道物理、化學工序，主要有5個制造階段：晶圓（Wafer）的制備、芯片制造、芯片檢測、芯片封裝和驗收測試。

其中半導體芯片生產(chǎn)主要涉及IC設計、IC制造、IC封測三大環(huán)節(jié)。

核心IC制造環(huán)節(jié)是將芯片電路圖從掩膜轉移至硅片上，并實現(xiàn)對應功能的過程，包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學機械研磨等步驟。

光刻的成本約占整個芯片制造成本的1/3，耗費時間約占整個芯片工藝的40-60%，是大規(guī)模集成電路制造過程中最復雜、昂貴和關鍵的工藝。

一般的光刻工藝要經(jīng)歷八道工序：氣相成底膜、旋轉涂膠、軟烘、對準曝光、后烘 、顯影、堅膜烘焙和檢測。

氣相成底膜工藝：

首先用六甲基二硅胺烷在硅片上形成底膜，該底膜使硅片表面疏離水分子，同時增強對光刻膠的結合力。

氣相成底膜設備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱

  HMDS烘箱將六甲基二硅胺烷HMDS氣相沉積至半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯(lián)劑的作用。

氣相成底膜設備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱特點：

HMDS藥液泄漏報警提示功能

HMDS低液位報警提示功能

工藝數(shù)據(jù)記錄功能

藥液管道預熱功能

程序鎖定保護等功能

氣相成底膜設備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱性能：

1.尺寸（深*寬*高）

內腔尺寸：450×450×450（mm）（可定制）

外形尺寸：750×1120×1650（mm）

2. 材質：外箱采用優(yōu)質冷軋板噴塑，內箱采用 316L 醫(yī)用級不銹鋼

3.溫度范圍：RT+50-200℃

4.溫度分辨率：0.1℃

5.溫度波動度：≤±0.5

6 真空度：≤133pa（1torr）

7.電源及總功率：AC 220V±10% / 50HZ，總功率約 3.2KW

8.控制儀表：人機界面，一鍵運行

9.擱板層數(shù)：2 層

10.HMDS控制：可控制HMDS 藥液添加量

11.真空泵：無油渦旋真空泵